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2025-07-06 [星期日] 厦门国际会展中心-海峡大剧院402
D06-先进微电子与光电子材料
日期：2025年07月06日
地点：厦门国际会展中心-海峡大剧院402
13:30 -13:35
| 开幕词
13:35 -15:15
| D06-01
主持：
| 编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 13:35-14:00 | 邀请报告 |
半导体相变存储器 |
宋志棠 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | |
| 14:00-14:25 | 邀请报告 |
基于28/22nm CMOS平台的RRAM工艺模块和宏单元 |
钱 鹤 | 清华大学 | |
| 14:25-14:50 | 邀请报告 |
高性能铪基铁电存储器 |
吕杭柄 | 厦门大学 | |
| 14:50-15:15 | 邀请报告 |
闪存存储器在AI时代的关键技术路径 |
陈杰智 | 山东大学 |
15:15 -15:35
| 茶歇、交流
15:35 -18:00
| D06-02
主持：
| 编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 15:35-16:00 | 邀请报告 |
自旋存储材料与器件技术 |
张 悦 | 北京航空航天大学 | |
| 16:00-16:25 | 邀请报告 |
忆阻器计算技术 |
尚大山 | 中国科学院微电子研究所 | |
| 16:25-16:50 | 邀请报告 |
铪基铁电材料物性及器件可靠性研究 |
武继璇 | 山东大学 | |
| 16:50-17:05 | 口头报告 |
晶圆级相变存储材料纳米结构界面可靠性研究 |
陈雨晴 | 中科院上海微系统与信息技术研究所 | |
| 17:05-17:20 | 口头报告 |
TaGeSbTe相变存储芯片循环擦写失效机理研究 |
王若琴 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | |
| 17:20-17:35 | 口头报告 |
Microscopic Leakage Mechanism in Chalcogenide Ovonic Threshold Switching Selectors |
时光洁 | 华东师范大学 |
中国材料研究学会
联系方式：cmc_public@126.com
联系电话：010-68710443
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