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筛选条件: 2025-07-07 [星期一] 厦门国际会议中心1G

日期:2025年07月07日

地点:厦门国际会议中心1G

08:30 -10:10 | Z-1
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
08:30-08:55 主题报告

免于界面退极化效应的光学声子软化新理论

骆军委 中国科学院半导体研究所
08:55-09:10 邀请报告

掺铒硅二极管反偏碰撞发光理论与光子增益

但亚平 上海交通大学
09:10-09:25 邀请报告

低维材料中激子绝缘体研究

王建峰 北京航空航天大学
09:25-09:40 邀请报告

钙钛矿及其异质结界面电子性质研究

刘 标 中南大学
09:40-09:55 邀请报告

光电材料载流子动力学理论模拟研究

贺进禄 内蒙古大学
09:55-10:10 邀请报告

I3-V-VI4族半导体太阳能电池的多尺度改性机制与理论设计

黄 丹 广西大学物理科学与工程技术学院
10:10 -10:25 | 茶歇
10:25 -12:07 | Z-2
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
10:25-10:50 主题报告

氧化物极化子的描述符理论方法发展及应用

刘利民 北京航空航天大学
10:50-11:05 邀请报告

过渡金属氧(属)化物中的极化子特性的理论研究

殷文金 湖南科技大学
11:05-11:20 邀请报告

有机锡氧化合物极紫外光刻胶材料的第一性原理计算研究

王 涵 上海科技大学
11:20-11:35 邀请报告

金属氧化物表界面结构及其演化规律的理论模拟

韩仲康 浙江大学
11:35-11:47 口头报告

提高铪基氧化物高介电常数的设计规则

贺绮雯 华东师范大学
11:47-11:57 口头报告

机器学习辅助的芯带价带发光氧化物材料设计

刘冠绮 南开大学
11:57-12:07 口头报告

Bi2O2Se载流子迁移率的第一性原理计算

袁誉博 西湖大学
12:07 -13:30 | 午休
13:30 -15:32 | Z-3
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
13:30-13:55 主题报告

半导体器件中缺陷和杂质的第一性原理计算模拟研究

陈时友 复旦大学
13:55-14:20 主题报告

后摩尔时代半导体缺陷与器件物理

邓惠雄 中国科学院半导体研究所
14:20-14:35 邀请报告

a-SiO2中氧空位的缺陷基态与电荷跃迁:载流子复合、TID和BTI效应的微观起源

宋 宇 中国科学院新疆理化技术研究所
14:35-14:50 邀请报告

二氧化钛表面的电子结构及缺陷识别

闻 波 河南大学
14:50-15:05 邀请报告

缺陷影响载流子动力学行为的理论研究

童传佳 中南大学
15:05-15:20 邀请报告

Multidimensional Defect Identification of Semiconductors in Nonequilibrium

刘 俊 中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所
15:20-15:32 邀请报告

钙钛矿及其衍生光电半导体的缺陷与载流子特性研究

蔡增华 苏州科技大学
15:32 -15:40 | 茶歇
15:40 -17:29 | Z-4
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
15:40-16:05 主题报告

半导体中的复杂缺陷:结构和动力学演化

黄 兵 北京计算科学研究中心
16:05-16:20 邀请报告

高应变梯度诱导的半导体薄膜强极性

张东波 北京师范大学
16:20-16:35 邀请报告

半导体输运性质高效计算与设计

邓天琪 浙江大学杭州国际科创中心
16:35-16:50 邀请报告

三维/二维卤化物钙钛矿的有机阳离子效应

南广军 浙江师范大学
16:50-17:05 邀请报告

TiO2中极化子迁移的非绝热动力学研究

徐忠菲 华北电力大学
17:05-17:05 邀请报告

团簇光激发性质的理论研究

杨小伟 内蒙古师范大学
17:05-17:29 邀请报告

纳米团簇的激发态动力学与光电性能的调控机制研究

于雪克 扬州大学
17:05-17:29 口头报告

非化学计量类赫斯勒化合物的电子结构与序构设计

阮毓荣 南方科技大学